OM各芯片基础电气特性

lixu · 249次点击 · 7个月前
型号工作电压(V)XR电流(mA)
TX电流@0dBm(mA)GPIO驱动能力(mA)耐压(V)ViH(V)ViL(V)支持GPADC的GPIO上拉电阻档位(ohm)下拉电阻档位(ohm)BOR(V)POR(V)
HS6621CxB1.8 - 3.66.46.52/4/6/123.62/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/7/8/9/10/11/12200K~400K200K左右1.91.45
HS6621CxC1.8 - 3.66.66.22/4/6/123.62/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/7/8/9/10/11/12200K~400K200K左右1.91.45
OM6621PPG/PW:2.7 - 3.6
PG-U/PH:1.8 - 3.6
6.86.42/4/6/123.62/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/7/8/9/10/11/12200K~400K200K左右1.91.45
OM6621E1.8 - 3.64.94.92/4/5/6/10/12/203.62/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/8/9/10/11/12/132M/300K/10K/4K200K左右1.91.45
OM6621F1.8 - 3.613.5142/4/5/6/10/12/203.62/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/7/8/9/10/11200K~400K200K左右Flash版本1.9,OTP版本2.041.45
OM66261.71 - 3.63410/203.62/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/7/8/11/12/14/152M/300K/10K/4K200K左右1.71.45
OM66812.4 - 5.5792/5/10/205.52/3 * VBAT1/3 * VBAT2/3/7/8/9/10/11/12(支持差分)200K~400K200K左右1.450.7











注:低压版本Flash BOR默认值为1.9V,高压版本Flash默认值为2.5V


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