OM6626功耗测试经验分享

1  EVB检查及几个影响电流的因素

    （1） 一般给到客户的板子，技术人员已经调试过。客户拿到手，还需检查EVB外观是否完好，元器件有无明显的虚焊、漏焊现象。有无外部flash，测试功耗需要拆掉外部flash，以免漏电影响结果。

    （2）天线到芯片端的射频匹配电路，匹配参数要优化，不合适的匹配网络，对功耗影响较大。

    （3）查看外部Xtal32K晶体是否有合适的匹配电容 (使用外部晶体时，平均电流会更小)

    （4）当使用内部RC32时，PPM值设置越大，连接电流会越大。

    （5）高频使用的代码，要放进RAM中运行。 

    （6） Flash低压复位功能关闭，DCDC的运行模式，均会影响电流。

2、基准功耗测试

    所有测试都需要外接天线进行，一般接天线各项功耗会比不接天线稍大，这属于正常情况。

    测试底电流，以OM6626B_EVB_V2.1为例。

    测试底电流，可以在任意广播或者连接状态下，测试休眠期间的平均电流。不同版本flash，底电流略有差异，一般在2uA左右。

    看1S广播，60S平均功耗，10uA左右属于正常，更低功耗需要细调。

    以上两项功耗，如果没有问题，就可以进行连接等其他射频相关功耗测试。

    1s连接功耗，正常情况1s连接功耗，应在7uA左右。

  以下是用RC32K作为协议栈时钟功耗。有些少部分手机BLE测试软件，连接上后，会发现测试连接间隔并非所设定的间隔，从而功耗异常偏大。

  如果遇到这种情况建议先看看连接间隔是否是软件所设定的间隔，如果不是，请更换测试手机。

  （连接电流受空中干扰信号影响，建议在屏蔽室中进行测试）

附件包含1S广播和1S连接功耗测试bin，仅供参考。6626A3 版本芯片请选择最新带A3版本字样bin测试功耗。